Samsung, espansione della fabbrica di storage Micron due!

Recentemente, le notizie del settore mostrano che, per far fronte all’aumento della domanda di chip di memoria guidato dal boom dell’intelligenza artificiale (AI), Samsung Electronics e Micron hanno ampliato la propria capacità di produzione di chip di memoria. Samsung riprenderà la costruzione delle infrastrutture per il suo nuovo stabilimento di Pyeongtaek (P5) già nel terzo trimestre del 2024. Micron sta costruendo linee di prova e di produzione in serie HBM presso la sua sede a Boise, Idaho, e sta valutando la possibilità di produrre HBM in Malesia per la prima volta. tempo per soddisfare la maggiore domanda derivante dal boom dell’intelligenza artificiale.

Samsung riapre il nuovo stabilimento di Pyeongtaek (P5)
Le notizie dei media stranieri mostrano che Samsung Electronics ha deciso di riavviare l'infrastruttura del nuovo stabilimento di Pyeongtaek (P5), la cui costruzione dovrebbe riprendere non prima del terzo trimestre del 2024, e il tempo di completamento è stimato nell'aprile 2027, ma il il tempo di produzione effettivo potrebbe essere precedente.

Secondo precedenti rapporti, l’impianto ha interrotto i lavori alla fine di gennaio e Samsung ha affermato all’epoca che “si tratta di una misura temporanea per coordinare i progressi” e che “gli investimenti non sono stati ancora fatti”. Samsung P5 ha deciso di riprendere la costruzione, ma l'industria ha interpretato più che in risposta al boom dell'intelligenza artificiale (AI) guidato dalla domanda di chip di memoria, l'azienda ha ulteriormente ampliato la capacità produttiva.

È stato riferito che lo stabilimento Samsung P5 è un grande stabilimento con otto camere bianche, mentre da P1 a P4 ne hanno solo quattro. Ciò consente a Samsung di avere una capacità di produzione di massa per soddisfare la domanda del mercato. Ma al momento non ci sono informazioni ufficiali sullo scopo specifico di P5.

Secondo quanto riportato dai media coreani, fonti del settore hanno affermato che Samsung Electronics ha tenuto una riunione del comitato di gestione interno del consiglio di amministrazione il 30 maggio per presentare e adottare l'ordine del giorno relativo all'infrastruttura P5. Il consiglio di amministrazione è presieduto dal CEO e capo della divisione DX Jong-hee Han ed è composto da Noh Tae-moon, capo della business unit MX, Park Hak-gyu, direttore del supporto gestionale, e Lee Jeong-bae, capo dell'attività di storage unità.

Hwang Sang-joong, vicepresidente e responsabile dei prodotti e della tecnologia DRAM presso Samsung, ha dichiarato a marzo di aspettarsi che la produzione HBM quest'anno sarà 2,9 volte superiore a quella dell'anno scorso. Allo stesso tempo, la società ha annunciato la tabella di marcia della HBM, che prevede che le spedizioni della HBM nel 2026 saranno 13,8 volte superiori alla produzione del 2023, ed entro il 2028 la produzione annuale della HBM aumenterà ulteriormente fino a 23,1 volte il livello del 2023.

.Micron sta costruendo linee di produzione di prova HBM e linee di produzione di massa negli Stati Uniti
Il 19 giugno, numerose notizie sui media hanno mostrato che Micron sta costruendo una linea di produzione di prova HBM e una linea di produzione di massa presso la sua sede a Boise, Idaho, e sta prendendo in considerazione per la prima volta la produzione HBM in Malesia per soddisfare la maggiore domanda causata dall'intelligenza artificiale boom. È stato riferito che la fabbrica di Boise di Micron sarà online nel 2025 e inizierà la produzione di DRAM nel 2026.

Micron aveva già annunciato in precedenza l'intenzione di aumentare la propria quota di mercato delle memorie a larghezza di banda elevata (HBM) dagli attuali "cifre mid-single" a circa il 20% entro un anno. Finora Micron ha ampliato la capacità di stoccaggio in molti luoghi.

Alla fine di aprile, Micron Technology ha annunciato ufficialmente sul suo sito ufficiale di aver ricevuto 6,1 miliardi di dollari in sussidi governativi dal Chip and Science Act. Queste sovvenzioni, insieme ad ulteriori incentivi statali e locali, sosterranno la costruzione da parte di Micron di uno stabilimento leader nella produzione di memorie DRAM in Idaho e di due impianti di produzione avanzati di memorie DRAM a Clay Town, New York.

La costruzione dell'impianto in Idaho è iniziata nell'ottobre 2023. Micron ha affermato che l'impianto dovrebbe essere online e operativo nel 2025 e iniziare ufficialmente la produzione di DRAM nel 2026 e che la produzione di DRAM continuerà ad aumentare con la crescita della domanda del settore. Il progetto di New York è in fase di progettazione preliminare, studi sul campo e richieste di autorizzazione, inclusa la NEPA. Si prevede che la costruzione della fabbrica inizierà nel 2025, con l’avvio della produzione che contribuirà alla produzione nel 2028 e aumenterà in linea con la domanda del mercato nel prossimo decennio. Il sussidio del governo statunitense sosterrà il piano di Micron di investire circa 50 miliardi di dollari in spese totali in conto capitale per la produzione leader di memorie nazionali negli Stati Uniti entro il 2030, si legge nel comunicato stampa.

Nel maggio di quest'anno, le notizie quotidiane affermavano che Micron spenderà dai 600 agli 800 miliardi di yen per costruire una fabbrica avanzata di chip DRAM utilizzando il processo microshadow a luce ultravioletta estrema (EUV) a Hiroshima, in Giappone, che dovrebbe iniziare all'inizio del 2026 e essere completata alla fine del 2027. In precedenza, il Giappone aveva approvato sussidi per 192 miliardi di yen per aiutare Micron a costruire uno stabilimento a Hiroshima e produrre una nuova generazione di patatine.

Il nuovo stabilimento Micron a Hiroshima, situato vicino all'attuale Fab 15, si concentrerà sulla produzione di DRAM, escludendo imballaggio e test back-end, e si concentrerà sui prodotti HBM.

Nell'ottobre 2023, Micron ha aperto il suo secondo stabilimento intelligente (assemblaggio e collaudo all'avanguardia) a Penang, in Malesia, con un investimento iniziale di 1 miliardo di dollari. Dopo il completamento della prima fabbrica, Micron ha aggiunto un altro miliardo di dollari per espandere la seconda fabbrica intelligente a 1,5 milioni di piedi quadrati.