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Littelfuse introduce ix4352ne Driver a basso gate laterali per MOSFET SIC e IGBT ad alta potenza

IXYS, leader globale nei semiconduttori di potenza, ha lanciato un nuovo pilota rivoluzionario progettato per alimentare i MOSFET di carburo di silicio (SIC) e transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in applicazioni industriali. L'innovativo driver IX4352NE è progettato per fornire tempi di accensione e di spegnimento personalizzati, minimizzando efficacemente le perdite di commutazione e migliorando l'immunità DV/DT.

Il driver IX4352ne è un punto di svolta del settore, che offre una serie di vantaggi per le applicazioni industriali. È ideale per la guida di MOSFET SIC in una varietà di contesti, tra cui caricabatterie a bordo e off-bordo, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori DC/DC, controller di motori e inverter di energia industriale. Questa versatilità lo rende una risorsa preziosa in una varietà di applicazioni industriali in cui è fondamentale un'efficace gestione dell'energia affidabile.

Una delle caratteristiche chiave del driver IX4352NE è la possibilità di fornire tempi di accensione e di spegnimento personalizzati. Questa funzione consente un controllo preciso del processo di commutazione, minimizzando le perdite e aumentando l'efficienza complessiva. Ottimizzando i tempi di commutazione delle transizioni, il conducente garantisce che i semiconduttori di alimentazione funzionino a prestazioni ottimali, aumentando così l'efficienza energetica e riducendo la generazione di calore.

Oltre al controllo preciso del tempo, il driver IX4352NE fornisce un'immunità DV/DT migliorata. Questa funzione è particolarmente importante nelle applicazioni ad alta potenza, in cui le variazioni di tensione rapida possono causare picchi di tensione e causare danni potenziali ai semiconduttori. Fornendo una forte immunità DV/DT, il conducente garantisce un funzionamento affidabile e sicuro di MOSFET SIC e IGBT in ambienti industriali, anche di fronte a impegni di tensione impegnativi.

L'introduzione del driver IX4352NE rappresenta un progresso significativo nella tecnologia dei semiconduttori di potenza. Il suo tempismo personalizzato di accensione e svolta combinato con un'immunità DV/DT migliorata lo rende ideale per le applicazioni industriali in cui l'efficienza, l'affidabilità e le prestazioni sono fondamentali. Il pilota IX4352NE è in grado di guidare MOSFET SIC in una varietà di ambienti industriali e dovrebbe avere un impatto duraturo sul settore dell'elettronica di energia.

Inoltre, la compatibilità del conducente con una varietà di applicazioni industriali, tra cui caricabatterie a bordo e fuoribordo, correzione del fattore di potenza, convertitori DC/DC, controller motori e inverter di energia industriale, ne evidenzia la versatilità e il potenziale di adozione. Mentre le industrie continuano a richiedere soluzioni di gestione dell'energia più efficienti e affidabili, il driver IX4352NE è ben posizionato per soddisfare queste esigenze mutevoli e guidare l'innovazione nell'elettronica di energia industriale.

In sintesi, il driver IX4352NE di Ixys rappresenta un grande salto in avanti nella tecnologia dei semiconduttori di potenza. Il suo tempismo di consegna personalizzato e di consegna e un'immunità DV/DT migliorata lo rendono ideale per la guida di MOSFET SIC e IGBT in una varietà di applicazioni industriali. Con il potenziale per migliorare l'efficienza, l'affidabilità e le prestazioni della gestione dell'energia industriale, il driver IX4352NE dovrebbe svolgere un ruolo chiave nel modellare il futuro dell'elettronica di potenza.


Tempo post: giugno-07-2024